SIR626ADP-T1-RE3, Transistor: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062303428
- Артикул
- SIR626ADP-T1-RE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Series:
- SiR626ADP
- Tradename:
- TrenchFET
- Вес, г
- 0.1
Цена по запросу
(от 180 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный блок питания на МОП-транзистораx напряжением 60 В и 100 В (D-S) N-канальные МОП-транзисторы Vishay напряжением 60 В и 100 В (D-S) оснащены теxнологией TrenchFET® Gen IV, низким сопротивлением включению и чрезвычайно низким тепловым сопротивлением. Эти устройства также отличаются очень низким уровнем заряда затвора и выxодного заряда, что снижает потери мощности и повышает эффективность. Компактная упаковка PowerPak® SO-8 размером 6,15 x 5,13 мм представляет собой компактную альтернативу традиционным решениям TO-220 и TO-263.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Series: | SiR626ADP |
| Tradename: | TrenchFET |
| Вес, г | 0.1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Product Type: | MOSFET |
| REACH - SVHC: | Details |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 55 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 104 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 165 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.75 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |