SIR622DP-T1-RE3, Transistor: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8029685528
- Артикул
- SIR622DP-T1-RE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Case
- PowerPAK® SO8
- Mounting
- SMD
- Technology
- TrenchFET®
- Вес, г
- 0.1
Цена по запросу
(от 243,70 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Case | PowerPAK® SO8 |
| Mounting | SMD |
| Technology | TrenchFET® |
| Вес, г | 0.1 |
| Gate charge | 41nC |
| Channel Type | N Channel |
| Manufacturer | VISHAY |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 51.6A |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Power dissipation | 104W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 20.4mΩ |
| Drain-source voltage | 150V |
| Pulsed drain current | 100A |
| Особенности | - |
| Drain Source On State Resistance | 0.0147Ом |
| Линейка Продукции | ThunderFET |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 51.6А |
| Рассеиваемая Мощность | 104Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4.5В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 150В |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK SO |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 150 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0147Ом |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0177Ω@10V, 20A |