Моя заявка (0)

SiR Type N-Channel MOSFET, 59.5 A, 80 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SiR588DP-T1-RE3

SiR Type N-Channel MOSFET, 59.5 A, 80 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SiR588DP-T1-RE3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8057891358
Артикул
SiR588DP-T1-RE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Brand:
Vishay Semiconductors
Pin Count
8
Fall Time:
6 ns
Rise Time:
5 ns
Цена по запросу
(от 230 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые МОП-транзисторы TrenchFET® Gen V с поддержкой VDS Силовые МОП-транзисторы Vishay / Siliconix TrenchFET ® Gen V повышают эффективность преобразования энергии при очень низком коэффициенте полезного действия (FOM). Силовые МОП-транзисторы Gen V имеют напряжение пробоя от источника питания 80 В, 100 В и 150 В. Силовые МОП-транзисторы Gen V поставляются в одном корпусе PowerPak ® 1212-8SH или PowerPak SO-8.

Технические параметры

Brand:Vishay Semiconductors
Pin Count8
Fall Time:6 ns
Rise Time:5 ns
Вес, г1
Channel TypeN
Package TypePowerPAK SO-8
Subcategory:MOSFETs
КорпусSO-8
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Vishay
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:PowerPAK SO-8
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:18.7 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:59.5 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:15 ns
Maximum Drain Source Voltage80 V
Typical Turn-Off Delay Time:18 ns
Id - Continuous Drain Current:59.5 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:32 S
Maximum Continuous Drain Current59.9 A
Rds On - Drain-Source Resistance:7.2 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:80 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В80
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А59.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация