SIR580DP-T1-RE3, Transistor: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8038437718
- Артикул
- SIR580DP-T1-RE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Series
- TrenchFET
- FET Type
- N-Channel
- Pin Count
- 8
- Vgs (Max)
- ±20V
Цена по запросу
(от 180,18 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный транзистор Vishay TrenchFET представляет собой МОП-транзистор напряжением 80 В. 100 %-ное тестирование Rg и UIS
Технические параметры
| Series | TrenchFET |
| FET Type | N-Channel |
| Pin Count | 8 |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | PowerPAK SO-8 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | Si |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7mOhm @ 20A, 10V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 6.25W(Ta), 104W(Tc) |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 76 nC @ 10 V |
| Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0027 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 146 A |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4100 pF @ 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35.8A(Ta), 146A(Tc) |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 6.25 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |