Моя заявка (0)
SIR576DP-T1-RE3, MOSFETs SOT669 150V 42.2A N-CH MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024119969
Артикул
SIR576DP-T1-RE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
FET Type
N-Channel
Pin Count
8
Vgs (Max)
±20V
Technology
MOSFET(Metal Oxide)
Цена по запросу
(от 173,05 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Vishay TrenchFET® - это автомобильный N-канальный МОП-транзистор IV поколения, работающий при напряжении 150 В. Этот МОП-транзистор используется для подачи питания, управления приводом двигателя и синxронного выпрямления.

Технические параметры

FET TypeN-Channel
Pin Count8
Vgs (Max)±20V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г1
Channel TypeN
Package TypePowerPAK SO-8
Mounting TypeSurface Mount
Package / CasePowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
СтруктураN-Channel
Operating Temperature-55°C ~ 150°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs16mOhm @ 10A, 10V
Особенности-
Power Dissipation (Max)5W(Ta), 71.4W(Tc)
Supplier Device PackagePowerPAK® SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs38 nC @ 10 V
Maximum Drain Source Voltage150 V
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Maximum Continuous Drain Current42.2 A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1870 pF @ 75 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)7.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11.1A(Ta), 42.4A(Tc)
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В150
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А42.2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация