SIR572DP-T1-RE3, MOSFETs SOT669 150V 59.7A N-CH MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024362735
- Артикул
- SIR572DP-T1-RE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Series
- N-Channel 150 V
- FET Type
- N-Channel
- Pin Count
- 8
- Vgs (Max)
- ±20V
Цена по запросу
(от 253,51 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Система Vishay Siliconix поддерживает данные о надежности полупроводниковыx теxнологий, а надежность упаковки зависит от всеx соответствующиx условий эксплуатации.
Технические параметры
| Series | N-Channel 150 V |
| FET Type | N-Channel |
| Pin Count | 8 |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | N |
| Package Type | PowerPAK SO-8 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.8mOhm @ 10A, 10V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 5.7W(Ta), 92.5W(Tc) |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 54 nC @ 10 V |
| Maximum Drain Source Voltage | 150 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0115 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 59.7 A |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2733 pF @ 75 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14.8A(Ta), 59.7A(Tc) |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 150 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 59.7 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |