Моя заявка (0)
SIR5712DP-T1-GE3, MOSFETs N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8031320891
Артикул
SIR5712DP-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Brand:
Vishay/Siliconix
Fall Time:
8 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
6 ns
Цена по запросу
(от 179,22 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальные МОП-транзисторы 60 В/100 В (D-S) PowerPak Vishay N-канальные МОП-транзисторы 60 В и 100 В (D-S) оснащены теxнологией TrenchFET® Gen IV, низким сопротивлением включению и чрезвычайно низким тепловым сопротивлением. Эти устройства также отличаются очень низким уровнем заряда затвора и выxодного заряда, что снижает потери мощности и повышает эффективность. Компактная упаковка PowerPak® SO-8 размером 6,15 x 5,13 мм представляет собой компактную альтернативу традиционным решениям TO-220 и TO-263.

Технические параметры

Brand:Vishay/Siliconix
Fall Time:8 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:6 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Vishay
Package/Case:SO-8
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:7.5 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Особенности-
Pd - Power Dissipation:40 W
Typical Turn-On Delay Time:17 ns
Typical Turn-Off Delay Time:18 ns
Id - Continuous Drain Current:18 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В150 V
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)55.5 mOhms

Техническая документация