Моя заявка (0)

SIR5607DP Type P-Channel MOSFET, 90.9 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SIR5607DP-T1-UE3

SIR5607DP Type P-Channel MOSFET, 90.9 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SIR5607DP-T1-UE3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8056512528
Артикул
SIR5607DP-T1-UE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Brand
Vishay
Series
SIR5607DP
Pin Count
8
Mount Type
Surface
Цена по запросу
(от 520 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

P-канальный МОП-транзистор Vishay предназначен для эффективной коммутации в компактныx системаx электропитания. Он поддерживает напряжение стока-источника до 60 В и выполнен в корпусе PowerPak SO-8. Построенный с использованием теxнологии TrenchFET Gen V, он обеспечивает очень низкий RDS (on), что сводит к минимуму падение напряжения и потери проводимости.

Технические параметры

BrandVishay
SeriesSIR5607DP
Pin Count8
Mount TypeSurface
Вес, г1
Package TypePowerPAK
Product TypeMOSFET
СтруктураType P
Automotive StandardNo
Standards/ApprovalsNo
ОсобенностиEnhancement Mode
Maximum Power Dissipation Pd104W
Typical Gate Charge Qg @ Vgs31.7nC
Maximum Operating Temperature150°C
Minimum Operating Temperature-55°C
Maximum Gate Source Voltage Vgs20 V
Maximum Drain Source Voltage Vds60V
Maximum Continuous Drain Current Id90.9A
Maximum Drain Source Resistance Rds0.007Ω
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А90.9
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация