Silicon P-Channel MOSFET, 90.9 A, 60 V, 8-Pin SO-8 SIR5607DP-T1-RE3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8051001658
- Артикул
- SIR5607DP-T1-RE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- FET Type
- P-Channel
- Vgs (Max)
- ±20V
- Technology
- MOSFET(Metal Oxide)
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 380 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
P-канал 60 В 22,2 А (Ta), 90,9 А (Tc), 6,25 Вт (Ta), 104 Вт (Tc) для поверxностного монтажа PowerPak® SO-8
Технические параметры
| FET Type | P-Channel |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 1 |
| Корпус | SO-8 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.6V @ 250µA |
| Структура | P-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 20A, 10V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 6.25W(Ta), 104W(Tc) |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 112 nC @ 10 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5020 pF @ 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22.2A(Ta), 90.9A(Tc) |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 90.9 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 66.6 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |