Моя заявка (0)

SIR5211DP-T1-GE3,Power MOSFET, P Channel, 20 V, 105 A, 0.00252 ohm, PowerPAK SO-8S, Surface Mount

SIR5211DP-T1-GE3,Power MOSFET, P Channel, 20 V, 105 A, 0.00252 ohm, PowerPAK SO-8S, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8046434837
Артикул
SIR5211DP-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Pin Count
8
Вес, г
0.074
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
P
Цена по запросу
(от 175 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор Vishay - это P-канальный МОП-транзистор, и транзистор в нем изготовлен из материала, известного как кремний.

Технические параметры

Pin Count8
Вес, г0.074
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP
Package TypeSO-8
КорпусSO-8
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураP-Channel
Transistor MaterialSilicon
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage20 V
Maximum Continuous Drain Current105 A
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А105
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.00252 Ом

Техническая документация