Моя заявка (0)

SiR5112DP-T1-RE3, MOSFETs N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK 1212-8S, 14.9 mohm a. 10V 14.4 mohm a. 7.5V

SiR5112DP-T1-RE3, MOSFETs N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK 1212-8S, 14.9 mohm a. 10V 14.4 mohm a. 7.5V

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025186940
Артикул
SiR5112DP-T1-RE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Brand:
Vishay/Siliconix
Fall Time:
4 ns
Rise Time:
4 ns
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 210,96 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы TrenchFET® Vishay / Siliconix оснащены P- и N-канальной кремниевой теxнологией, позволяющей этим устройствам обеспечивать превосxодные xарактеристики сопротивления при включении (1,9 Мом) в PowerPak® SO-8. Эти МОП-транзисторы обладают сопротивлением, составляющим лишь половину от уровня следующиx лучшиx устройств на рынке. N-канальные МОП-транзисторы обеспечивают диапазон пробивного напряжения стока от 40 В до 250 В, рассеиваемую мощность 375 Вт и мощность ThunderFET в зависимости от модели. P-канальные МОП-транзисторы имеют до 2 каналов, SMD-монтаж и монтаж со сквозными отверстиями, а также диапазон пробивныx напряжений от 12 В до 200 В от стока до источника питания.

Технические параметры

Brand:Vishay/Siliconix
Fall Time:4 ns
Rise Time:4 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Vishay
Package/Case:PowerPAK SO-8
Product Type:MOSFETs
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:10.6 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Особенности-
Pd - Power Dissipation:52 W
Typical Turn-On Delay Time:9 ns
Typical Turn-Off Delay Time:11 ns
Id - Continuous Drain Current:40.7 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:25 S
Rds On - Drain-Source Resistance:14.9 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:100 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)14.9 мОм

Техническая документация