Моя заявка (0)

Vishay Silicon N-Channel MOSFET, 47.6 A, 100 V, 8-Pin SO-8 SIR5110DP-T1-RE3

Vishay Silicon N-Channel MOSFET, 47.6 A, 100 V, 8-Pin SO-8 SIR5110DP-T1-RE3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8072845430
Артикул
SIR5110DP-T1-RE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Вес, г
1
No. of Pins
8Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
TrenchFET Series
Цена по запросу
(от 170 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г1
No. of Pins8Pins
Channel TypeN Channel
Product RangeTrenchFET Series
Transistor MountingSurface Mount
Transistor Case StylePowerPAK SO
Drain Source Voltage Vds100V
Operating Temperature Max150°C
Continuous Drain Current Id47.6A
Gate Source Threshold Voltage Max4V

Техническая документация