Моя заявка (0)

SIR5110DP-T1-RE3,Power MOSFET, N Channel, 100 V, 47.6 A, 0.0103 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount

SIR5110DP-T1-RE3,Power MOSFET, N Channel, 100 V, 47.6 A, 0.0103 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8046391421
Артикул
SIR5110DP-T1-RE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Вес, г
0.001
No. of Pins
8Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
TrenchFET Series
Цена по запросу
(от 335 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.001
No. of Pins8Pins
Channel TypeN Channel
Product RangeTrenchFET Series
СтруктураN-Channel
Transistor MountingSurface Mount
Transistor Case StylePowerPAK SO
Особенности-
Drain Source Voltage Vds100V
Operating Temperature Max150°C
Continuous Drain Current Id47.6A
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А47.6
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт59.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)10V

Техническая документация