TrenchFET Dual N-Channel MOSFET, 350.8 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SiR500DP-T1-RE3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8016046990
- Артикул
- SiR500DP-T1-RE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Series
- TrenchFET
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 530,32 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный транзистор Vishay TrenchFET представляет собой МОП-транзистор напряжением 30 В. Протестирован на 100% Rg и UIS
Технические параметры
| Series | TrenchFET |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | PowerPAK SO-8 |
| Корпус | SO-8 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation | 104.1Вт |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | TrenchFET |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.00047 Ω |
| Drain Source On State Resistance | 390мкОм |
| Maximum Continuous Drain Current | 350.8 A |
| Линейка Продукции | TrenchFET Gen V |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 350.8А |
| Рассеиваемая Мощность | 104.1Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.2В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK SO |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 390мкОм |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 350.8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 66.6 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.00039 Ом |