SIR470DP-T1-GE3, Trans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8000997672
- Артикул
- SIR470DP-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- PPAP
- No
- EU RoHS
- Compliant with Exemption
- Mounting
- Surface Mount
- ECCN (US)
- EAR99
Цена по запросу
(от 150 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET N-CH 40V 60A с 8-контактным разъемом PowerPak SO EP T/R
Технические параметры
| PPAP | No |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | No Lead |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 6.15 mm |
| Серия | SIR |
| PCB changed | 8 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Высота | 1.04 mm |
| Ширина | 5.15 mm |
| Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | PowerPAK SO EP |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Process Technology | TrenchFET |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | SO |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 9 ns |
| Typical Fall Time (ns) | 39 |
| Typical Rise Time (ns) | 31 |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка / блок | PowerPAK-SO-8 |
| Maximum Gate Resistance (Ohm) | 2 |
| Minimum Gate Resistance (Ohm) | 0.2 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 6250 |
| Qg - заряд затвора | 155 nC |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 102 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 102 10V|45.5 4.5V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Output Capacitance (pF) | 720 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 40 |
| Время нарастания | 11 ns |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 40 |
| Typical Gate Plateau Voltage (V) | 2.7 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 85 |
| Maximum Diode Forward Voltage (V) | 1.1 |
| Typical Diode Forward Voltage (V) | 0.73 |
| Typical Gate to Drain Charge (nC) | 14.4 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 2.5 |
| Minimum Gate Threshold Voltage (V) | 1 |
| Typical Gate to Source Charge (nC) | 13.8 |
| Typical Reverse Recovery Time (ns) | 39 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 60 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 5660 20V |
| Typical Reverse Recovery Charge (nC) | 53 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 2.3 10V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Maximum Positive Gate Source Voltage (V) | 20 |
| Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A) | 100 |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 104 W |
| Другие названия товара № | SIR814DP-T1-GE3 |
| Id - непрерывный ток утечки | 60 A |
| Maximum Power Dissipation on PCB @ TC=25°C (W) | 6.25 |
| Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF) | 327 20V |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET, PowerPAK |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Maximum Continuous Drain Current on PCB @ TC=25°C (A) | 38.8 |
| Maximum Junction Ambient Thermal Resistance on PCB (°C/W) | 54 |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.9 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 50 ns |
| Типичное время задержки при включении | 16 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 60 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 190 S |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |