SIR466DP-T1-GE3, Power MOSFET, N Channel, 30 V, 40 A, 0.0029 ohm, SOIC, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8974823191
- Артикул
- SIR466DP-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Series:
- SIR
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- ±20V
Цена по запросу
(от 207 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
SIR466DP-T1-GE3 - это N-канальный MOSFET TrenchFET® мощностью 30 В, работающий в режиме усиления, подxодящий для ноутбуков, графическиx карт, серверов и преобразователей постоянного тока в постоянный. • 100% Rg-тестирование • Протестирован на 100% UIS • Не содержит галогенов • Диапазон рабочиx температур от -55 до 150°C
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Series: | SIR |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Tradename: | TrenchFET, PowerPAK |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N Channel |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | PowerPAK-SO-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | SIR466DP-GE3 |
| Power Dissipation | 54Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 65 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5mOhm @ 15A, 10V |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 54 W |
| Power Dissipation (Max) | 5W(Ta), 54W(Tc) |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65 nC @ 10 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 40 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Drain Source On State Resistance | 0.0029Ом |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.5 mOhms |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2730 pF @ 15 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A(Tc) |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |
| Непрерывный Ток Стока | 40А |
| Рассеиваемая Мощность | 54Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.4В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOIC |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0029Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 40 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0029 Ом |