Моя заявка (0)
SIR462DP-T1-GE3, Transistor: N-MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8061934294
Артикул
SIR462DP-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Width
5.89mm
Pin Count
8
Вес, г
0.1
Длина
6.15 mm
Цена по запросу
(от 78 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

Технические параметры

Width5.89mm
Pin Count8
Вес, г0.1
Длина6.15 mm
СерияSIR
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypePowerPAK SO-8
Высота1.04 mm
Ширина5.15 mm
Mounting TypeSurface Mount
Transistor MaterialSi
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада9 ns
Тип продуктаMOSFET
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Maximum Power Dissipation4.8 W
Typical Gate Charge @ Vgs20 nC @ 10 V, 8.8 nC @ 4.5 V
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаVishay Semiconductors
Упаковка / блокPowerPAK-SO-8
Maximum Drain Source Voltage30 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Minimum Gate Threshold Voltage1V
Qg - заряд затвора20 nC
Maximum Drain Source Resistance8 mΩ
Время нарастания9 ns
Maximum Continuous Drain Current19 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности41.7 W
Другие названия товара №SIR462DP-GE3
Id - непрерывный ток утечки30 A
Коммерческое обозначениеTrenchFET, PowerPAK
Размер фабричной упаковки3000
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток7.9 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения25 ns
Типичное время задержки при включении14 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.70 S

Техническая документация