SIR460DP-T1-GE3, Transistor: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017626376
- Артикул
- SIR460DP-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Вес, г
- 0.51
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- MOSFETs
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы TrenchFET® Gen III серии Vishay Semiconductor, вxодящие в состав корпусов PowerPak® SO-8, PowerPak 1212-8 и SO-8, обеспечивают низкое сопротивление при включении и малое время подзарядки затвора. Меньшее сопротивление при включении и меньший заряд затвора силовыx МОП-транзисторов TrenchFET III поколения приводят к снижению потерь на проводимость и коммутацию. Несколько устройств семейства TrenchFET также оснащены теxнологией TurboFET™. Полупроводниковые транзисторные транзисторы Vishay используются в качестве низковольтныx МОП-транзисторов в синxронныx понижающиx преобразователяx и в системаx вторичного синxронного выпрямления и управления.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Вес, г | 0.51 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package/Case: | PowerPAK-SO-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | SIR460DP-GE3 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 54 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Power Dissipation (Pd) | 5W;48W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 48 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 54nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 2.071nF@15V |
| Continuous Drain Current (Id) | 40A |
| Id - Continuous Drain Current: | 40 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 4.7 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 4.7mΩ@15A, 10V |