SIR4606DP-T1-GE3, транзистор N канал 60В 10.5А 3,7Вт PowerPAK SO-8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8038559779
- Артикул
- SIR4606DP-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Fall Time:
- 12 ns
- Rise Time:
- 9 ns
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 171,36 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные МОП-транзисторы 30-45 В (D-S) Vishay N-канальные МОП-транзисторы 30-45 В (D-S) - это мощные МОП-транзисторы TrenchFET® IV поколения с очень низким коэффициентом полезного действия RDS Qg (FOM). Устройства настроены на минимальное значение RDS - Qoss FOM с функцией оxлаждения сверxу, которая обеспечивает дополнительное пространство для теплопередачи. МОП-транзисторы на 100% протестированы на соответствие стандартам RD и UIS.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Fall Time: | 12 ns |
| Rise Time: | 9 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package/Case: | PowerPAK SO-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 54 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Pd - Power Dissipation: | 48 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 25 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 28 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 40 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 60 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 4.9 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.4 V |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.5 |