SIR4406DP-T1-GE3, MOSFETs PPAKSO8 N-CH 40V 78A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030671400
- Артикул
- SIR4406DP-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay/Siliconix
- Fall Time:
- 6 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 5 ns
Цена по запросу
(от 193,76 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные МОП-транзисторы 60 В/100 В (D-S) PowerPak Vishay N-канальные МОП-транзисторы 60 В и 100 В (D-S) оснащены теxнологией TrenchFET® Gen IV, низким сопротивлением включению и чрезвычайно низким тепловым сопротивлением. Эти устройства также отличаются очень низким уровнем заряда затвора и выxодного заряда, что снижает потери мощности и повышает эффективность. Компактная упаковка PowerPak® SO-8 размером 6,15 x 5,13 мм представляет собой компактную альтернативу традиционным решениям TO-220 и TO-263.
Технические параметры
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Fall Time: | 6 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 5 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package/Case: | SO-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 23.7 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 41.6 W |
| Typical Turn-On Delay Time: | 11 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 22 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 78 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.4 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 78 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 4.75 mOhms |