SIR426DP-T1-GE3 Транзистор
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8059880075
- Артикул
- SIR426DP
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Series
- TrenchFETВ®
- FET Type
- N-Channel
- Packaging
- Cut Tape(CT)
- Vgs (Max)
- В±20V
Цена по запросу
(от 36 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET, N-канальный, 40 В, 30 А, PPAK SO8; Полярность транзистора: N-канальный; Постоянный ток стока Id:30 А; Напряжение источника стока Vds: 40 В; Сопротивление включения Rds(on): 0,0085 Ом; Тестовое напряжение Rds(on) Vgs:10 В; Пороговое напряжение Vgs:1,2 В; P
Технические параметры
| Series | TrenchFETВ® |
| FET Type | N-Channel |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.23 |
| FET Feature | - |
| Part Status | Active |
| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | PowerPAKВ® SO-8 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250ВµA |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.5mOhm @ 15A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 4.8W(Ta), 41.7W(Tc) |
| Supplier Device Package | PowerPAKВ® SO-8 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1160pF @ 20V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 30A(Tc) |