SIR424DP-T1-GE3, Transistor: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070052070
- Артикул
- SIR424DP-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.1
- Channel Type
- N Channel
- Package Type
- PowerPAK SO-8
- Mounting Type
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 104,40 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Полупроводниковый N-канальный mosfet iTime от Vishay Semiconductor не содержит галогенов в соответствии с определением IEC 61249-2-21, и его применение - понижающие преобразователи, POL, DC, DC-разряды.
Технические параметры
| Вес, г | 0.1 |
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | PowerPAK SO-8 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation | 41.7Вт |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Drain Source On State Resistance | 0.0046Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 30 A |
| Линейка Продукции | TrenchFET |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 30А |
| Рассеиваемая Мощность | 41.7Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 20В |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK SO |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0046Ом |