Моя заявка (0)
нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8026380668
Артикул
SIR422DP-T1-GE3-VB
Бренд
Vbsemi Electronics Co., Ltd.
Вес, г
0.2
Структура
MOSFET
Особенности
-
Пороговое напряжение на затворе
-
Цена по запросу
(от 203 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.2
СтруктураMOSFET
Особенности-
Пороговое напряжение на затворе-
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)18mΩ@10V, 22A