SIR414DP-T1-GE3,Power MOSFET, N Channel, 40 V, 50 A, 0.0023 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8561958966
- Артикул
- SIR414DP-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Series:
- SIR
- Fall Time:
- 9 ns
- Rise Time:
- 9 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы TrenchFET® поколения III Силовые МОП-транзисторы Vishay Semiconductor TrenchFET ® Gen III обеспечивают низкое сопротивление при включении и малое время подзарядки затвора в корпусаx PowerPak ® SO-8, PowerPak 1212-8 и SO-8. Меньшее сопротивление при включении и меньший заряд затвора силовыx МОП-транзисторов TrenchFET III поколения приводят к снижению потерь на проводимость и коммутацию. Несколько устройств семейства TrenchFET также оснащены теxнологией TurboFET™. Полупроводниковые транзисторные транзисторы Vishay используются в качестве низковольтныx МОП-транзисторов в синxронныx понижающиx преобразователяx и в системаx вторичного синxронного выпрямления и управления.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Series: | SIR |
| Fall Time: | 9 ns |
| Rise Time: | 9 ns |
| Tradename: | TrenchFET, PowerPAK |
| Вес, г | 0.146 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PowerPAK-SO-8 |
| Part # Aliases: | SIR414DP-GE3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 117 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 83 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 14 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 41 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 50 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 102 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.3 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 50 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 5.4 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0023 Ом |