SIR404DP-T1-GE3, Transistor: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8058278101
- Артикул
- SIR404DP-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.1
- Длина
- 6.15 mm
- Серия
- SIR
- Channel Type
- N Channel
Цена по запросу
(от 960 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8
Технические параметры
| Вес, г | 0.1 |
| Длина | 6.15 mm |
| Серия | SIR |
| Channel Type | N Channel |
| Высота | 1.04 mm |
| Ширина | 5.15 mm |
| Power Dissipation | 104Вт |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 9 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка / блок | PowerPAK-SO-8 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 36.5 nC |
| Время нарастания | 9 ns |
| Drain Source On State Resistance | 0.0013Ом |
| Линейка Продукции | TrenchFET Gen III |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 60А |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.5В |
| Pd - рассеивание мощности | 104 W |
| Другие названия товара № | SIR404DP-GE3 |
| Id - непрерывный ток утечки | 60 A |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET, PowerPAK |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 20В |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK SO |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.6 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 68 ns |
| Типичное время задержки при включении | 14 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 600 mV |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 150 S |