Моя заявка (0)
SIR404DP-T1-GE3, MOSFETs 20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005512624
Артикул
SIR404DP-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Вес, г
0.51
Длина
6.15 mm
Серия
SIR
Channel Type
N Channel
Цена по запросу
(от 233,67 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8

Технические параметры

Вес, г0.51
Длина6.15 mm
СерияSIR
Channel TypeN Channel
Высота1.04 mm
КорпусSO-8
Ширина5.15 mm
Power Dissipation104Вт
СтруктураMOSFET
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада9 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаVishay / Siliconix
Упаковка / блокPowerPAK-SO-8
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора36.5 nC
Время нарастания9 ns
Drain Source On State Resistance0.0013Ом
Линейка ПродукцииTrenchFET Gen III
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов8вывод(-ов)
Количество каналов1 Channel
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока60А
Полярность транзистораN-Channel
Пороговое Напряжение Vgs1.5В
Pd - рассеивание мощности104 W
Другие названия товара №SIR404DP-GE3
Id - непрерывный ток утечки60 A
Коммерческое обозначениеTrenchFET, PowerPAK
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds20В
Размер фабричной упаковки3000
Стиль Корпуса ТранзистораPowerPAK SO
Vgs - напряжение затвор-исток10 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток1.6 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток20 V
Пороговое напряжение на затворе-
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения68 ns
Типичное время задержки при включении14 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток600 mV
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.150 S
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт104
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация