Моя заявка (0)
SIR401DP-T1-GE3, Transistor: P-MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070049727
Артикул
SIR401DP-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Width
5.26mm
Series
TrenchFET
Pin Count
8
Вес, г
0.1
Цена по запросу
(от 137,66 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Width5.26mm
SeriesTrenchFET
Pin Count8
Вес, г0.1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP
Package TypePowerPAK SO-8
Mounting TypeSurface Mount
Transistor MaterialSi
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation39 W
Typical Gate Charge @ Vgs205 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-12 V, +12 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage20 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage0.6V
Maximum Drain Source Resistance7.7 mΩ
Maximum Continuous Drain Current50 A

Техническая документация