SIR401DP-T1-GE3, MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006222952
- Артикул
- SIR401DP-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Width
- 5.26mm
- Series
- TrenchFET
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 0.51
Цена по запросу
(от 133,51 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Width | 5.26mm |
| Series | TrenchFET |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 0.51 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | PowerPAK SO-8 |
| Корпус | SO-8 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 39 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 205 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -12 V, +12 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.6V |
| Maximum Drain Source Resistance | 7.7 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 50 A |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 12 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |