TrenchFET N-Channel MOSFET, 60 A, 60 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SiR188DP-T1-RE3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014506465
- Артикул
- SiR188DP-T1-RE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Width
- 5mm
- Series
- TrenchFET
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 370 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощный МОП-транзистор TrenchFET® поколения IV с очень низким коэффициентом полезного действия RDS - Qg (FOM), настроенный на самый низкий уровень RDS - Qoss, определенный FOMundefined
Технические параметры
| Width | 5mm |
| Series | TrenchFET |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | PowerPAK SO-8 |
| Корпус | SO-8 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation | 65.7Вт |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Forward Diode Voltage | 1.1V |
| Особенности | TrenchFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 65.7 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3.6V |
| Maximum Drain Source Resistance | 4 mΩ |
| Drain Source On State Resistance | 0.0032Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 60 A |
| Линейка Продукции | TrenchFET Gen IV |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 60А |
| Рассеиваемая Мощность | 65.7Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3.6В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK SO |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0032Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 60 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0032 Ом |