Моя заявка (0)

TrenchFET N-Channel MOSFET, 60 A, 60 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SiR188DP-T1-RE3

TrenchFET N-Channel MOSFET, 60 A, 60 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SiR188DP-T1-RE3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014506465
Артикул
SiR188DP-T1-RE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Width
5mm
Series
TrenchFET
Pin Count
8
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 370 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощный МОП-транзистор TrenchFET® поколения IV с очень низким коэффициентом полезного действия RDS - Qg (FOM), настроенный на самый низкий уровень RDS - Qoss, определенный FOMundefined

Технические параметры

Width5mm
SeriesTrenchFET
Pin Count8
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypePowerPAK SO-8
КорпусSO-8
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation65.7Вт
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSi
Forward Diode Voltage1.1V
ОсобенностиTrenchFET
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation65.7 W
Typical Gate Charge @ Vgs29 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage±20 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage60 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage2V
Minimum Gate Threshold Voltage3.6V
Maximum Drain Source Resistance4 mΩ
Drain Source On State Resistance0.0032Ом
Maximum Continuous Drain Current60 A
Линейка ПродукцииTrenchFET Gen IV
Количество Выводов8вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока60А
Рассеиваемая Мощность65.7Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs3.6В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds60В
Стиль Корпуса ТранзистораPowerPAK SO
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.0032Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А60
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0032 Ом

Техническая документация