SIR186DP-T1-RE3, Transistor: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070079204
- Артикул
- SIR186DP-T1-RE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.1
- Channel Type
- N Channel
- Power Dissipation
- 57Вт
- Drain Source On State Resistance
- 0.0037Ом
Цена по запросу
(от 161,46 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
• Мощный МОП-транзистор TrenchFET® IV поколения • Очень низкий коэффициент полезного действия (FOM) по RDS - Qi • Настроен на самый низкий коэффициент полезного действия (FOM) по RDS - Qoss • Протестированы 100% Rg и UIS
Технические параметры
| Вес, г | 0.1 |
| Channel Type | N Channel |
| Power Dissipation | 57Вт |
| Drain Source On State Resistance | 0.0037Ом |
| Линейка Продукции | TrenchFET |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 60А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3.6В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK SO |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |