Моя заявка (0)

SIR184LDP-T1-RE3, Power MOSFET, N Channel, 60 V, 73 A, 0.0045 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount

SIR184LDP-T1-RE3, Power MOSFET, N Channel, 60 V, 73 A, 0.0045 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014781203
Артикул
SIR184LDP-T1-RE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Pin Count
8
Вес, г
0.363
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N Channel
Цена по запросу
(от 294 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовой МОП-транзистор Vishay N-channel TrenchFET 4-го поколения не содержит свинца и галогенов. Он используется в такиx устройстваx, как синxронный выпрямитель, переключатель привода двигателя, аккумулятор и переключатель нагрузки.

Технические параметры

Pin Count8
Вес, г0.363
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN Channel
Package TypePowerPAK SO-8
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation56.8Вт
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSilicon
Особенности-
Number of Elements per Chip2
Maximum Drain Source Voltage60 V
Drain Source On State Resistance0.0045Ом
Maximum Continuous Drain Current73 A
Линейка ПродукцииTrenchFET Gen IV Series
Количество Выводов8вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока73А
Пороговое Напряжение Vgs3В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds60В
Стиль Корпуса ТранзистораPowerPAK SO
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А73
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0045 Ом

Техническая документация