SIR184DP-T1-RE3, Transistor: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070113883
- Артикул
- SIR184DP-T1-RE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.1
- Channel Type
- N Channel
- Power Dissipation
- 62.5Вт
- кол-во в упаковке
- 1240
Цена по запросу
(от 162,90 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Предназначен для эффективного преобразования мощности в системаx мощностью более 150 Вт с очень низким зарядом затвора и выxодной емкостью.
Технические параметры
| Вес, г | 0.1 |
| Channel Type | N Channel |
| Power Dissipation | 62.5Вт |
| кол-во в упаковке | 1240 |
| Drain Source On State Resistance | 0.0047Ом |
| Линейка Продукции | TrenchFET Gen IV |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 73А |
| Рассеиваемая Мощность | 62.5Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3.4В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK SO |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0047Ом |