Моя заявка (0)
SIR180ADP-T1-RE3, Transistor: N-MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070058256
Артикул
SIR180ADP-T1-RE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Pin Count
8
Вес, г
0.1
Channel Type
N
Package Type
PowerPAK SO-8
Цена по запросу
(от 242,22 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 60V N-CHANNEL (D-S) MOS

Технические параметры

Pin Count8
Вес, г0.1
Channel TypeN
Package TypePowerPAK SO-8
Mounting TypeSurface Mount
УпаковкаReel, Cut Tape
Power Dissipation83.3Вт
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада9 ns
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаVishay / Siliconix
Упаковка / блокSO-8
Maximum Drain Source Voltage60 V
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Maximum Gate Threshold Voltage2 → 3.6V
Qg - заряд затвора46.2 nC
Maximum Drain Source Resistance0.0018 Ω
Время нарастания9 ns
Drain Source On State Resistance0.0018Ом
Maximum Continuous Drain Current137 A
Линейка ПродукцииTrenchFET Gen IV
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов8вывод(-ов)
Количество каналов1 Channel
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока137А
Рассеиваемая Мощность83.3Вт
Полярность транзистораN-Channel
Пороговое Напряжение Vgs3.6В
Pd - рассеивание мощности83.3 W
Другие названия товара №SIR180ADP
Id - непрерывный ток утечки137 A
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds60В
Размер фабричной упаковки3000
Стиль Корпуса ТранзистораPowerPAK SO
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток2.2 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток60 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения25 ns
Типичное время задержки при включении21 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.0018Ом

Техническая документация