SIR172ADP-T1-GE3, Transistor: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017642123
- Артикул
- SIR172ADP-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Вес, г
- 0.51
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- MOSFETs
Цена по запросу
(от 50,81 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Вес, г | 0.51 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package/Case: | PowerPAK-SO-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 44 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Power Dissipation (Pd) | 29.8W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 29.8 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 44nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.515nF@15V |
| Continuous Drain Current (Id) | 24A |
| Id - Continuous Drain Current: | 24 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 8.5 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 172 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3.9 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 8.5mΩ@10A, 10V |