SIR167DP-T1-GE3, Transistor: P-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025881993
- Артикул
- SIR167DP-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.1
- Channel Type
- P Channel
- Power Dissipation
- 65.8Вт
- Структура
- MOSFET
Цена по запросу
(от 152,45 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.1 |
| Channel Type | P Channel |
| Power Dissipation | 65.8Вт |
| Структура | MOSFET |
| Особенности | - |
| Drain Source On State Resistance | 0.0046Ом |
| Линейка Продукции | TrenchFET Gen III |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 60А |
| Рассеиваемая Мощность | 65.8Вт |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK SO |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0046Ом |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 65.8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0046 Ом |