Моя заявка (0)

SIR150DP-T1-RE3,Power MOSFET, N Channel, 45 V, 110 A, 0.00225 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount

SIR150DP-T1-RE3,Power MOSFET, N Channel, 45 V, 110 A, 0.00225 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001885163
Артикул
SIR150DP-T1-RE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Type
Power MOSFET
Brand:
Vishay/Siliconix
Mounting
Surface Mount
Polarity
N
Цена по запросу
(от 206 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET N-CH 45V 110A с 8-контактным разъемом PowerPak SO EP T/R

Технические параметры

TypePower MOSFET
Brand:Vishay/Siliconix
MountingSurface Mount
PolarityN
PackagingTape and Reel
Pin Count8
Fall Time:6 ns
Rise Time:6 ns
Tradename:TrenchFET
Вес, г4.5
Technology:Si
Channel ModeEnhancement
Package TypePOWERPAK SO EP
Rad HardenedNo
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Vishay
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:PowerPAK-SO-8
Transistor Type:1 N-Channel
Power Dissipation52(W)
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:46.7 nC
Number of Elements1
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Drain-Source On-Volt45(V)
Operating Temp Range-55C to 150C
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:65.7 W
Continuous Drain Current110(A)
Gate-Source Voltage (Max)20(V)
Vgs - Gate-Source Voltage:-16 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:15 ns
Typical Turn-Off Delay Time:30 ns
Id - Continuous Drain Current:110 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:72 S
Rds On - Drain-Source Resistance:2.71 mOhms
Operating Temperature ClassificationMilitary
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:45 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.3 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В45
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А110
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт5.2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.00225 Ом

Техническая документация