SIR122DP-T1-RE3, MOSFETs 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006231882
- Артикул
- SIR122DP-T1-RE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 1
- Channel Type
- N Channel
- Корпус
- SO-8
- Power Dissipation
- 65.7Вт
Цена по запросу
(от 138 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | N Channel |
| Корпус | SO-8 |
| Power Dissipation | 65.7Вт |
| Структура | MOSFET |
| Особенности | - |
| Drain Source On State Resistance | 0.0061Ом |
| Линейка Продукции | TrenchFET Gen IV |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 59.6А |
| Рассеиваемая Мощность | 65.7Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3.8В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 80В |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK SO |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальная Рабочая Температура | 50°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0061Ом |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 5.2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |