Моя заявка (0)
N-Channel MOSFET, 24.7 A, 80 V PowerPAK SO-8 SIR120DP-T1-RE3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8030793643
Артикул
SIR120DP-T1-RE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
FET Type
N-Channel
Vgs (Max)
±20V
Technology
MOSFET(Metal Oxide)
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 640 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Полупроводниковый N-канальный моп-транзистор Vishay Semiconductor 80 В (D-S) с очень низким коэффициентом полезного действия RDS x Qg (FOM) применяется для синxронного выпрямления, бокового выключателя первичной обмотки, преобразователей постоянного тока, блоков питания, управления приводом двигателя, аккумулятора и переключателя нагрузки.

Технические параметры

FET TypeN-Channel
Vgs (Max)±20V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г1
Channel TypeN
Package TypePowerPAK SO-8
КорпусSO-8
Mounting TypeSurface Mount
Package / CasePowerPAK® SO-8
Power Dissipation100Вт
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 250µA
СтруктураN-Channel
Operating Temperature-55°C ~ 150°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.55mOhm @ 15A, 10V
Особенности-
Power Dissipation (Max)5.4W(Ta), 100W(Tc)
Supplier Device PackagePowerPAK® SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs94 nC @ 10 V
Maximum Drain Source Voltage80 V
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Drain Source On State Resistance0.00296Ом
Maximum Continuous Drain Current24.7 A
Линейка ПродукцииTrenchFET
Количество Выводов8вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4150 pF @ 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)7.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C24.7A(Ta), 106A(Tc)
Непрерывный Ток Стока106А
Рассеиваемая Мощность100Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs3.5В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds80В
Стиль Корпуса ТранзистораPowerPAK SO
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В80
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.00296Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А24.7
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт5.4
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.00296 Ом

Техническая документация