Моя заявка (0)
SIR106ADP-T1-RE3, Transistor: N-MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070172053
Артикул
SIR106ADP-T1-RE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Вес, г
0.1
Channel Type
N Channel
Power Dissipation
83.3Вт
Технология
Si
Цена по запросу
(от 191,99 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор N-CHANNEL 100V PowerPAK SO-8

Технические параметры

Вес, г0.1
Channel TypeN Channel
Power Dissipation83.3Вт
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада6 ns, 7 ns
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаVishay Semiconductors
Упаковка / блокPowerPAK-SO-8
Канальный режимEnhancement
Тип транзистораN - Channel
Qg - заряд затвора26.5 nC, 34.5 nC
Время нарастания7 ns, 8 ns
Drain Source On State Resistance0.0066Ом
Линейка ПродукцииTrenchFET Gen IV
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов8вывод(-ов)
Количество каналов1 Channel
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока65.8А
Рассеиваемая Мощность83.3Вт
Полярность транзистораN-Channel
Пороговое Напряжение Vgs4В
Pd - рассеивание мощности83.3 W
Id - непрерывный ток утечки65.8 A
Коммерческое обозначениеTrenchFET
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds100В
Размер фабричной упаковки3000
Стиль Корпуса ТранзистораPowerPAK SO
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток8 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения22 ns, 25 ns
Типичное время задержки при включении15 ns, 18 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток4 V
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.0066Ом
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.72 S

Техническая документация