SIJH600E-T1-GE3, Transistor: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062382869
- Артикул
- SIJH600E-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Q(g)
- 141 nC
- V(DS)
- 60 V
- P(tot)
- 333 W
- Package
- PPAK SO-8
Цена по запросу
(от 799,26 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Q(g) | 141 nC |
| V(DS) | 60 V |
| P(tot) | 333 W |
| Package | PPAK SO-8 |
| R(thJC) | 0.36 K/W |
| Mounting | SMD |
| Packaging | REEL |
| Automotive | NO |
| Technology | TrenchFET |
| Вес, г | 0.1 |
| Logic level | NO |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Channel Type | N Channel |
| Configuration | N-CH |
| RDS(on)at 10V | 0.65 mOhm |
| Fast bodydiode | NO |
| I(D)at Tc=25°C | 373 A |
| Power Dissipation | 333Вт |
| Drain Source On State Resistance | 650мкОм |
| Линейка Продукции | TrenchFET Gen IV |
| Количество Выводов | 5вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 373А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |