Моя заявка (0)

SIJH600E-T1-GE3, Power MOSFET, N Channel, 60 V, 373 A, 0.00065 ohm, PowerPAK, Surface Mount

SIJH600E-T1-GE3, Power MOSFET, N Channel, 60 V, 373 A, 0.00065 ohm, PowerPAK, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8016241855
Артикул
SIJH600E-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Q(g)
141 nC
V(DS)
60 V
P(tot)
333 W
Package
PPAK SO-8
Цена по запросу
(от 1 440 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Q(g)141 nC
V(DS)60 V
P(tot)333 W
PackagePPAK SO-8
R(thJC)0.36 K/W
MountingSMD
PackagingREEL
AutomotiveNO
TechnologyTrenchFET
Вес, г0.001
Logic levelNO
RoHS StatusRoHS-conform
Channel TypeN Channel
ConfigurationN-CH
RDS(on)at 10V0.65 mOhm
Fast bodydiodeNO
I(D)at Tc=25°C373 A
Power Dissipation333Вт
СтруктураN-Channel
Особенности-
Drain Source On State Resistance650мкОм
Линейка ПродукцииTrenchFET Gen IV
Количество Выводов5вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока373А
Пороговое Напряжение Vgs4В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds60В
Стиль Корпуса ТранзистораPowerPAK
Максимальная Рабочая Температура175°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А373
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.00065 Ом

Техническая документация