SIJH5100E-T1-GE3, Transistor: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062382830
- Артикул
- SIJH5100E-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay/Siliconix
- Fall Time:
- 21 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 17 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы Vishay / Siliconix SiSS52DN и SiSS54DN N-канальные TrenchFET® поколения V. МОП-транзисторы Vishay / Siliconix SiSS52DN и SiSS54DN N-канальные TrenchFET поколения V обеспечивают более высокую плотность мощности при очень низком RDS (вкл.). Эти мощные МОП-транзисторы обеспечивают напряжение VDS 30 В и очень низкий коэффициент полезного действия RDS x Qg (FOM). N-канальный МОП-транзистор Vishay / Siliconix SiSS52DN обычно имеет идентификатор 162A и Qg 19,9nC. Между тем, N-канальный МОП-транзистор SiSS54DN обычно имеет идентификатор 185,6 А и Qg 21 Нм. Этот МОП-транзистор, протестированный на 100% надежность и незажимаемость с индуктивной коммутацией (UIS), поставляется в компактном корпусе PowerPak® 1212-8S с термическим улучшением и единой конфигурацией. Типичные области применения включают преобразователи постоянного тока, определение точек нагрузки (POLs), синxронное выпрямление, переключатели питания и нагрузки, а также управление батареями.
Технические параметры
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Fall Time: | 21 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 17 ns |
| Вес, г | 0.1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package/Case: | PowerPAK-4 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 85 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Pd - Power Dissipation: | 333 W |
| Typical Turn-On Delay Time: | 24 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 41 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 277 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 120 S |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |