SIJH112E-T1-GE3, Transistor: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070095442
- Артикул
- SIJH112E-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Series
- TrenchFET
- Pin Count
- 4
- Вес, г
- 0.1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 526,80 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный транзистор Vishay TrenchFET представляет собой МОП-транзистор напряжением 100 В. Протестирован на 100% Rg и UIS
Технические параметры
| Series | TrenchFET |
| Pin Count | 4 |
| Вес, г | 0.1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | PowerPAK 8x8L |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Material | Si |
| Power Dissipation (Pd) | 3.3W;333W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 160nC@10V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 8.05nF@50V |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 23A;225A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0028 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 225 A |