SIJA58ADP-T1-GE3, MOSFETs 40V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8L
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006254844
- Артикул
- SIJA58ADP-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 1
- Channel Type
- N Channel
- Корпус
- SO-8
- Power Dissipation
- 56.8Вт
Цена по запросу
(от 187 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | N Channel |
| Корпус | SO-8 |
| Power Dissipation | 56.8Вт |
| Структура | MOSFET |
| Особенности | - |
| Drain Source On State Resistance | 0.0022Ом |
| Линейка Продукции | TrenchFET Gen IV |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 109А |
| Рассеиваемая Мощность | 56.8Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.4В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 40В |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK SO |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0022Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 58 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |