Моя заявка (0)

Dual Silicon N-Channel MOSFET, 126 A, 40 V, 4-Pin PowerPAK SO-8L SiJA54ADP-T1-GE3

Dual Silicon N-Channel MOSFET, 126 A, 40 V, 4-Pin PowerPAK SO-8L SiJA54ADP-T1-GE3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8030993490
Артикул
SiJA54ADP-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Brand:
Vishay Semiconductors
Pin Count
4
Fall Time:
74 ns
Rise Time:
99 ns
Цена по запросу
(от 497,98 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовой МОП-транзистор Vishay N channel TrenchFET 4-го поколения не содержит свинца и галогенов. Он оснащен гибкими выводами, которые обеспечивают устойчивость к меxаническим воздействиям.

Технические параметры

Brand:Vishay Semiconductors
Pin Count4
Fall Time:74 ns
Rise Time:99 ns
Вес, г1
Technology:Si
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypePowerPAK SO-8L
Subcategory:MOSFETs
КорпусSO-8
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Vishay
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:PowerPAK-8
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:105 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor MaterialSilicon
Transistor Polarity:N-Channel
Особенностиполевая сборка
Pd - Power Dissipation:278 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip2
Typical Turn-On Delay Time:78 ns
Maximum Drain Source Voltage40 V
Typical Turn-Off Delay Time:96 ns
Id - Continuous Drain Current:47 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:21 S
Maximum Continuous Drain Current126 A
Rds On - Drain-Source Resistance:52 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:600 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А126
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация