TrenchFET N-Channel MOSFET, 201 A, 25 V, 4-Pin PowerPAK SO-8L SiJA22DP-T1-GE3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014570895
- Артикул
- SiJA22DP-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Series
- TrenchFET
- Pin Count
- 4
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 358,94 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный транзистор Vishay TrenchFET представляет собой МОП-транзистор напряжением 25 В. 100 % Rg и UIS протестированы
Технические параметры
| Series | TrenchFET |
| Pin Count | 4 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | PowerPAK SO-8L |
| Корпус | SO-8 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation | 48Вт |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 6 ns |
| Особенности | TrenchFET |
| Тип продукта | MOSFET |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка / блок | PowerPAK-SO-8L |
| Maximum Drain Source Voltage | 25 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | TrenchFET Power MOSFET |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.2V |
| Qg - заряд затвора | 83 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.00074 Ω |
| Время нарастания | 6 ns |
| Drain Source On State Resistance | 570мкОм |
| Maximum Continuous Drain Current | 201 A |
| Линейка Продукции | TrenchFET Gen IV |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 201А |
| Рассеиваемая Мощность | 48Вт |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.2В |
| Pd - рассеивание мощности | 48 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 201 A |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 25В |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK SO |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 740 uOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 25 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 39 ns |
| Типичное время задержки при включении | 15 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.2 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 25 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 570мкОм |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 201 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 155 S |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.00057 Ом |