SIJ494DP-T1-GE3, Trans MOSFET N-CH 150V 36.8A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002283287
- Артикул
- SIJ494DP-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- HTS
- 8541.29.00.95
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- EU RoHS
- Compliant
Цена по запросу
(от 200 ₽)
Минимальный заказ: 6000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| EU RoHS | Compliant |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 5 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 4 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single Triple Source |
| Package Width | 4.37 |
| Package Height | 1.07 |
| Package Length | 4.9 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | PowerPAK SO |
| Структура | N-Channel |
| Typical Fall Time (ns) | 8|22 |
| Typical Rise Time (ns) | 58|18 |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 5000 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 20.3 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 16.1@7.5V|20.3@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 11|8 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 150 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 15|12 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 36.8 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1070@75V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 23.2@10V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 150 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 36.8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |