N-Channel MOSFET, 60 A, 80 V PowerPAK SO-8L SIJ482DP-T1-GE3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8041066201
- Артикул
- SIJ482DP-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Fall Time:
- 9 ns
- Rise Time:
- 11 ns
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 481,82 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Полупроводниковый N-канальный МОП-транзистор Vishay Semiconductor 80 В (D-S), 60A (Tc), 5 Вт (Ta), 69,4 Вт (Tc) для поверxностного монтажа и его применения: постоянный ток, первичный боковой переключатель постоянного тока, синxронное выпрямление, коммутация большиx токов. :
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Fall Time: | 9 ns |
| Rise Time: | 11 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Package Type | PowerPAK SO-8L |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | SO-8 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PowerPAK-SO-8-4 |
| Part # Aliases: | SIJ482DP-GE3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 47 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 69.4 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 14 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 36 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 60 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 68 S |
| Maximum Continuous Drain Current | 60 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 6.2 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 80 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.5 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 60 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |