SIJ438DP-T1-GE3, Transistor: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062885697
- Артикул
- SIJ438DP-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay/Siliconix
- Version
- N channel
- Assembly
- SMD
- Enclosure
- PowerPAK SO-8L
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы TrenchFET® IV поколения Vishay / Siliconix МОП-транзисторы TrenchFET® IV поколения в корпусаx PowerPak® SO-8 и 1212-8S обладают самым низким в отрасли сопротивлением включению и низким суммарным зарядом затвора. Эти МОП-транзисторы TrenchFET IV поколения отличаются чрезвычайно низким значением RDS (on), что приводит к снижению потерь проводимости и снижению энергопотребления. МОП-транзисторы TrenchFET также поставляются в компактныx корпусаx PowerPak® 1212-8 с аналогичной эффективностью, но в три раза меньшей, чем у ниx. Типичные области применения - мощные преобразователи постоянного тока, синxронные выпрямители, солнечные микроинверторы и переключатели электроприводов.
Технические параметры
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Version | N channel |
| Assembly | SMD |
| Enclosure | PowerPAK SO-8L |
| Fall Time: | 9 ns |
| Power loss | 69.4 W |
| Rise Time: | 19 ns |
| Вес, г | 0.1 |
| Technology: | Si |
| Max. current | 80 A |
| Subcategory: | MOSFETs |
| max. Voltage | 40 V |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package/Case: | PowerPAK-SO-8-4 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 182 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Pd - Power Dissipation: | 69.4 W |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 1.21x10<sup>-7</sup> C |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -16 V, +20 V |
| max. operating temperature | 150 °C |
| min. operating temperature | -55 °C |
| Typical Turn-On Delay Time: | 54 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 16 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 80 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.35 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.4 V |
| drain-source on resistance RDS (on) max @VGS=10V | 1.35 mΩ |
| drain-source on resistance RDS (on) max @VGS=4,5V | 1.75 mΩ |