Моя заявка (0)

SIJ4106DP-T1-GE3,Power MOSFET, N Channel, 100 V, 59 A, 0.0069 ohm, PowerPAK SO-8L, Surface Mount

SIJ4106DP-T1-GE3,Power MOSFET, N Channel, 100 V, 59 A, 0.0069 ohm, PowerPAK SO-8L, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8046434833
Артикул
SIJ4106DP-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Pin Count
7
Вес, г
0.074
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Цена по запросу
(от 311 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор Vishay - это N-канальный МОП-транзистор, и транзистор в нем изготовлен из материала, известного как кремний.

Технические параметры

Pin Count7
Вес, г0.074
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeSO-8L
КорпусSO-8
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSilicon
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage100 V
Maximum Continuous Drain Current59 A
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А59
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0069 Ом

Техническая документация